铌酸锂晶体是集电光、声光、压电、光弹、非线性、光折变及激光活性等效应于一身的人为合成晶体。我国现已研造出铌酸锂单晶薄膜产品并量产
，选取离子注入及直接键合等技术
，从铌酸锂体资料上剥离出厚度仅罕见百纳米的单晶薄膜
，用其造成器件与传统器件相比在机能、体积、功耗等方面都拥有显著优势
，此举使我国拥有了全球当先产业化出产铌酸锂单晶薄膜的能力
，标志取我国在光电新资料领域实现沉大突破。同时
，在声表表波、电光调造、探测器、集成光学、非线性光学、信息存储等器件中拥有沉要利用远景
，例如理论上可使集成度提高100万倍以上;用其造成存储器件存储容量大
，读取速度快(纳秒级)
，抗滋扰能力强。在航空航天、雷达、红表探测器、手机、电视、光通讯、以及军工技术中阐扬沉要作用。

目前
，铌酸锂单晶薄膜已引起了业界宽泛关注
，这一创新拥有自主知识产权
，能扭转有关产业结构
，带来巨大经济效益及社会效益
，并有望在更多利用领域实现突破。