EUV是指波长为13.5nm的远紫表光(Extreme Ultra-Violet)
。也称为软X线
。利用远紫表光的EUV曝光技术作为可使半导体进一步渺小化的新一代曝光技术而备受等待
。

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　　以前的半导体曝光技术是通过缩短所用光线的波长来提高曝光时的分辨率，从而满足渺小化需要
。不外，近10年来，曝光波长一向维持在193nm没有扭转
。其原因是，业界导入了在镜头与晶圆间充斥水的液浸曝光技术，以及反复曝光的二次图形曝光技术等，代替了缩短波长的步骤来提高分辨率
。

　　大幅缩短曝光波长

　　EUV曝光将曝光波长缩短至13.5nm，由此提高曝光时的分辨率

　　然而，这些技术也越来越靠近极限
。最新的液浸曝光技术的分辨率为38nm左右，即便使用二次图形曝光技术，19nm已是极限
。持续提高分辨率的话，就必要将曝光次数增长到3次以上，这会使成本升高
。而使用波长仅为13.5nm的EUV曝光技术时，一次曝光便可轻松形成14nm左右的图形
。

　　不外，目前EUV曝光技术的开发变得越来越慢
。其重要原因在于，EUV光源的输出功率目前仅为10～20W，还远远达不到量产所必要的250W
。这样下去的话，会给半导体的渺小化发展速度造成巨大影响
。因而，从事EUV曝光装置业务的阿斯麦公司(ASML)于2012年10月颁发收购全球最大的EUV光源厂商西盟(Cymer)，以加快开发速度
。阿斯麦的指标是2015年使EUV光源的输出功率达到量产所必要的250W
。

　　远紫表光光刻(EUV) 可能被看作是最有远景的技术之一
。只管目前仍有多项技术正期待去克服解决
。

　　半导体业正选取两次图形曝光技术，而设想逐步过渡到EUV技术，因而直到2012年时，先进技术为22nm半间距时仍会选取两次图形曝光技术为主流
。在被访者中有60.4%的使用者以为两次图形曝光技术会使用在栅层光刻中及有51.1%以为用在接触层光刻中
。但到2014-2015年时很多被访者以为达到 16nm时期，有43%的被访者以为可能利用在栅层造作中及47.7%利用在接触层光刻中
。到2016-2018时期，工业界很多人相信进入11nm，那时有60.6%的被访者以为可能利用在栅层光刻及63.9%利用在接触层光刻中
。